射频易商城_芯片电容_电容的基本参数与分类方法①

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导读：很多朋友不知道芯片电容的基本参数及分类方法，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答电容的基本参数及分类方法。

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芯片电容 的基本参数及分类方法①

1. 标称电容量（CR）。电容器产品标出的电容量值。 云母和陶瓷介质电容器的电容量较低（大约在 5000pF 以下） ； 纸、 塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中（大约在0. 005uF~1. 0uF） ； 通常电解电容器的容量较大。 这是一个粗略的分类法。

2. 类别温度范围。 电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围。 该范围取决于它相应类别的温度极限值， 如上限类别温度、 下限类别温度、 额定温度（可以连续施加额定电压的环境温度） 等。

3. 额定电压（UR） 。 在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下， 可以连续施加在电容器上的直流电压或交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。 电容器应用在高电压场和时， 必须注意电晕的影响。 电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的， 它除了 可以产生损坏设备的寄生信号外， 还会导致电容器介质击穿。 在交流或脉动条件下， 电晕特别容易发生。 对于所有的电容器， 在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不得超过电容器的额定电压。

4. 损耗角正切（tgδ ） 。 在规定频率的正弦电压下， 电容器的损耗功率除以电容器的无功功率为损耗角正切。 在实际应用中， 电容器并不是一个纯电容， 其内部还有等效电阻，它的简化等效电路如附图所示。 对于电子设备来说， 要求 RS 愈小愈好， 也就是说要求损耗功率小， 其与电容的功率的夹角要小。这个关系为： tgδ =RS/XC=2*3. 14*f*C* RS 。 因此， 在应用当中应注意选择这个参数， 避免自身发热过大而影响寿命。

5. 电容器的温度特性。 通常是以 20℃基准温度的电容量与有关温度的电容量的百分比表示。

6. 使用寿命。 电容器的使用寿命随温度的增加而减小。 主要原因是温度加速化学反应而使介质随时间退化。

7. 绝缘电阻。 由于温升引起电子活动增加， 因此温度升高将使绝缘电阻降低。

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推荐产品一、丽芯微电 33pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容

型号：C12-20-100V-330
容值/容差：33pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥100G@100V
损耗@频率：≤4.0@1KHz
封装尺寸：0.508*0.508*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

推荐产品二、丽芯微电 4.7pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容

型号：C12-15-100V-4R7

容值/容差：4.7pF / ±0.5pF温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥100G@100V
损耗@频率：≤4.0@1KHz
封装尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。