射频易商城_芯片电容_电容如何正确接入芯片电路⑤

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导读：很多朋友不知道芯片电容的基本参数及分类方法，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答电容的基本参数及分类方法。

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电容正确接入芯片的电路及方法⑤

作为进一步的技术方案，该检测方法具体为：上电伊始，先同时打开开关管、第二开关管、第三开关管，使得同时给电容、第二电容和芯片引脚电容进行充电，然后再在设定的一个时间内 ，去比较三个电容所充的电压值，如果电容的电压值<芯片引脚电容的电压值，且第二电容的电压值>芯片引脚电容的电压值，则说明芯片引脚电容正常接入，能正常开启芯片。与现有技术相比，本发明能够在集成电路主体功能电路工作之前，对引脚的连接性进行自我检测，在满足设定的条件下，才进入正常的启动过程，如果检测到引脚的电容出现异常，将对芯片进行锁定，直至问题解决。从而确保在引脚连接异常的情况下，芯片限制工作不会因工作异常而导致损坏。如图1所示，本发明提供一种基于电容范围来检测芯片引脚电容正确接入的电路，该电路包括电流源I1、第二电流源I2、第三电流源I3、开关管M1、第二开关管M2、第三开关管M3、电容C1、第二电容C2、比较器、第二比较器和与门电路。开关管M1、第二开关管M2、第三开关管M3的控制信号端相连，G1是三个开关管的控制信号，G1高电平表示开关打开，低电平表示开关关断。开关管M1的一端连接电流源I1，开关管M1的另一端分别连接电容C1、第二比较器的负极端。电容C1的另一端接地。第二开关管M2的一端连接第二电流源I2，第二开关管M2的另一端分别连接第二电容C2、比较器的正极端。第二电容C2的另一端接地。第三开关管M3的一端连接第三电流源I3，第三开关管M3的另一端分别比较器的负极端、第二比较器的正极端、芯片A2的输出信号端、芯片引脚电容Cout。芯片引脚电容Cout的另一端接地。比较器和第二比较器的输出端分别连接与门电路的两个输入端，与门电路的输出端连接芯片A2的开启信号端。开关管为PMOS、NMOS、NPN、PNP中的一种。第二开关管为PMOS、NMOS、NPN、PNP中的一种。第三开关管为PMOS、NMOS、NPN、PNP中的一种。V1表示电容C1结点的电压值； V2表示电容C2结点的电压值； A2表示原有的基本芯片电路；芯片A2与芯片引脚电容Cout相连的线是原有的信号，表示输出信号。芯片A2与与门电路的输出端相连， 用检测的外部电容OK的信号，去开启A2原有的基本芯片电路。本发明利用充电来判断电容在一定的范围内，进而实现芯片引脚电容是否正确接入的检测。如图2所示，本发明的工作流程是：芯片A2上电后，检测芯片引脚电容，然后判断芯片引脚电容是否有电容，如果判断为是，则芯片A2正常工作输出，如果判断为否，则重新检测芯片引脚电容。

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容值/容差：6800pF / 20%
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性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。

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容值/容差：680pF / 20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：20%
损耗@频率：100V
封装尺寸：0.5*0.5*0.35 mm
性能特点：电容器ESL小，谐振频率高;适合键合组装方式，与半导体芯片相同的装配工艺;容量高，相比单层陶瓷电容器体积更小，可提供良好的温度特性;应用GaAs、GaN芯片的外围电路;电路滤波与静噪；微组装电路中的滤波与静噪;其他需要小型化的微组装领域，可替代部分单层电容。

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