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射频易商城_芯片电容_如何制造高介薄型陶瓷芯片电容⑥

2023-05-17 责任编辑：未填浏览数：50 B2B商务网

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高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究⑥

2. 2. 2　过渡层厚度变化对电容绝缘电阻偏压特性的影响

　　不同过渡层厚度对电容样品绝缘电阻偏压特性的影响如图 7 所示。由图中曲线变化情况可见, 当过渡层厚度在 80 nm 时, 绝缘电阻总体比较低, 其原因是在测试电压的作用下, 样品表面没有覆盖完全的区域与 Au 电极接触, Au 离子在电压作用下可以直接迁移进陶瓷内部, 形成漏电流, 使测得的绝缘电阻值普遍较低。随着过渡层厚度由 80 nm 增加至 600 nm, 各个电压点的绝缘电阻都呈增大的趋势。当过渡层厚度从80 nm 增加至 400 nm 时, 高介薄型陶瓷芯片电容的绝缘电阻提升很大, 平均每个电压测试点增加了近 3000MΩ。而当过渡层厚度从 400 nm 加厚到 600 nm 时, 绝缘电阻增加值幅度较小。因此, 从膜系覆盖性和绝缘电阻偏压特性来看, 400 nm 的过渡层已经能获得比较好的综合效果。
2. 3　薄型微小器件的精密切割

本文所述的高介薄型陶瓷电容器, 采用的介质基片材料质地疏松、脆性强, 分片切割时极易出现崩边、卷边、毛刺等问题, 有时还会出现 “ 飞晶” 现象。当器件单边尺寸小于 1 mm 时, 图形效应表现得尤为明显, 每 20 μm 的卷边或毛刺将使整个电路片的形状发生 “扭曲” 而无法满足性能和组装的要求。砂轮切割行业比较成熟, 设备的转速、切割速度等工艺参数已有比较可靠的经验可以借鉴, 本工作着重从切割的固定方式、刀具选择方面进行优化, 通过显微目检的方式对高阶薄型陶瓷芯片电容样品进行检测。

推荐产品一、丽芯微电 2200pF, ≥1G@25V, 单面留边单层芯片电容

型号：C12-40-25V-222
容值/容差：2200pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@25V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：1.016*1.016*0.150 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

推荐产品二、丽芯微电 22pF, ≥100G@100V, 单面留边单层芯片电容

型号：C12-20-100V-220
容值/容差：22pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥100G@100V
损耗@频率：≤4.0@1KHz
封装尺寸：0.508*0.508*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。